Soitec高级研究员Bich

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2018-11-10

[本站讯]11月1日,Soitec公司高级研究员Bich-YenNguyen受邀访问信息学院并作题为“FD-SOI是如何革新下一代微电子技术的:物联网、汽车和移动连接应用(HowFD-SOIisrevolutionizingnext-genmicroelectronics:IoT,automotiveandmobileconnectivityapplications)”的科技通识讲座。

讲座由信息学院陈杰智教授主持。 Bich-YenNguyen研究员说明了全耗尽型硅绝缘体(FD-SOI)的优势。

她简单介绍了FD-SOI,并指出超薄埋入氧化物上的FD-SOI器件可以使具有10nm节点的独特体偏性能的平面半导体器件变得有可扩展性。 她还详细介绍了FD-SOI技术所带来的优势,包括最佳的能源效率,最高的综合射频性能,可以用来延长电池寿命和物联网可靠性的超低电压能力,以及汽车和移动连接应用等。

她指出,FD-SOI现在是主流技术,相关行业者应该利用主要的竞争优势,她对相关产业的未来发展进行了展望。 报告结束后,Bich-YenNguyen研究员详细解答了现场同学提出的问题。

Bich-YenNguyen,Soitec高级研究员,支持新设备领域和应用的技术开发。 负责Soitec的FD-SOI设备技术。

在加入Soitec之前,担任飞思卡尔半导体公司的高级经理,也是飞思卡尔/摩托罗拉丹诺贝尔中心的研究员。

在飞思卡尔/摩托罗拉先进集成电路产品的CMOS技术开发方面的领导和研究获得认可。

自1980年以来,Bich-Yen的理论在将工艺技术转移到生产过程中发挥了重要作用。

她获得的荣誉和奖项包括2003年获得摩托罗拉最高技术奖和创新及科技硕士奖,2004年获得国家首届“科技女性终身成就奖”。

拥有185项已颁发的专利,并撰写了200多篇关于IC工艺、集成和器件技术的技术论文。